ФТТ, 2007, том 49, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe

С.А.Музафарова, Ш.А.Мирсагатов, Ж.Жанабергенов *

Физико-технический институт, Научно-производственное объединение << Физика-Солнце>> Академии наук Узбекистана,
700084 Ташкент, Узбекистан
* Нукусский государственный педагогический институт,
700042 Нукус, Узбекистан
E-mail: samusu@rambler.ru

(Поступила в Редакцию 8 июня 2006 г.
В окончательной редакции 18 сентября 2006 г.)

Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe1-xSx на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10-8-10-5 A·cm-2 вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10-4-10-2 A·cm-2 ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe1-xSx. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe1-xSx, а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe1-xSx. Показано, что гетероструктура pCdTe/nCdS работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем --- CdTe1-xSx, n-слоем --- CdS.

Работа выполнена по теме гранта N 12-06 Фонда поддержки фундаментальных исследований АН Р Уз.

PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Rw

 PDF версия (203Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster