ФТТ, 2007, том 49, выпуск 6: page 1101...

ФТТ, 2007, том 49, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Время индуцированного сверхкоротким световым импульсом фазового перехода полупроводник $-$ металл в двуокиси ванадия

А.Л.Семенов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия
E-mail: smnv@mail.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 19 октября 2006 г.)

Получено выражение для времени

tau фотоиндуцированного фазового перехода полупроводник

-

металл пайерлсовского типа под действием сверхкороткого лазерного импульса. Показано, что 1) при уменьшении плотности энергии импульса

W

время

tau увеличивается; 2) для инициирования фазового перехода

W

должна превышать некоторое критическое значение

W

_c. Проведено сравнение с экспериментом по облучению пленки VO

₂ световым полем.

PACS: 64.70.Kb, 42.70.Gi