ФТТ, 2007, том 49, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование изображения краевой дислокации в поглощающем кристалле

И.А.Смирнова, Э.В.Суворов, Е.В.Шулаков\kern1pt*

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: irina@issp.ac.ru, e.suvorov@chgnet.ru

(Поступила в Редакцию 10 октября 2006 г.)

Экспериментально и методом компьютерного моделирования исследовались особенности формирования дифракционного изображения единичной краевой дислокации в условиях, когда область дефекта может быть размещена в различных участках треугольника рассеяния. Эксперимент включал в себя съемку дислокации на различных длинах волн и для разных отражений. Исследована геометрия дифракции, когда линия дислокации перпендикулярна поверхности образца, вектор Бюргерса параллелен или перпендикулярен вектору обратной решетки. На основании анализа экспериментальных данных и расчетных изображений сделаны выводы относительно симметрии изображений, углового разрешения и чувствительности метода секционной топографии к формированию изображения дислокации. Особое внимание уделено влиянию на контраст и размеры изображений длины волны излучения, модуля вектора обратной решетки и величины интерференционного поглощения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 06-02-16536 и 06-02-17406).

PACS: 61.10.Nz, 61.72.Ff, 61.72.Dd

 PDF версия (222Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster