ФТТ, 2007, том 49, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рассеяние электронов
в транзисторной структуре GaAs/AlAs

А.В.Борздов, Д.В.Поздняков

Белорусский государственный университет,
220030 Минск, Белоруссия
E-mail: pozdnyakov@bsu.by

(Поступила в Редакцию 17 июля 2006 г.)

Представлены результаты самосогласованного расчета интенсивностей рассеяния электронов на шероховатостях поверхности, акустических и полярных оптических фононах в транзисторной структуре на основе квантовой проволоки GaAs в матрице AlAs при T=77 и 300 K. Интенсивности рассеяния рассчитывались в приближении электрического квантового предела с учетом столкновительного уширения энергетического спектра электронов и принципа Паули. Исследовалось также влияние напряжения на затворе на величины этих интенсивностей. Волновая функция электронов и уровень энергии их основного квантового состояния находились путем самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера.

PACS: 72.10.Di, 72.10.Fk, 73.21.Hb

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster