Приводятся результаты исследования петель диэлектрического гистерезиса фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция, легированного La и Ce, без освещения и при освещении мощностью 0.22 mW/cm$2$. Исследования проведены в квазистатическом электрическом поле с частотой $5$·10^-4 Hz при различных температурах в области размытого фазового перехода. Освещение увеличивает амплитуду петли гистерезиса. Амплитуда и коэрцитивное поле уменьшаются при нагревании, и различие петель освещаемого и неосвещаемого кристаллов постепенно исчезает при приближении к температуре максимума диэлектрической проницаемости. Результаты измерений не противоречат предположению об экранировании фотоиндуцированными носителями заряда случайных внутренних полей релаксора.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 05-02-17565 и 06-02-16644).

PACS: 77.84.Dy, 77.80.Dj