ФТТ, 2007, том 49, выпуск 5: page 810...

ФТТ, 2007, том 49, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Ориентация кольцевых гексавакансий при изгибе
кристаллов кремния

А.С.Каминский

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
E-mail: kam@cplire.ru

(Поступила в Редакцию 20 марта 2006 г.
В окончательной редакции 17 октября 2006 г.)

Показано, что при растяжении монокристаллического кремния в кристаллографическом направлении [111] кольцевые гексавакансии --- вакансионные кластеры

V

₆ (центры

B

⁴₈₀) --- ориентируются в направлениях

[-111]

[-1-11]

[1-11]

. Этот эффект объяснен сменой знака относительного изменения длины

<110>

-связей

V

₆ при растяжении кристалла в направлении [111] по отношению к случаю сжатия в этом же направлении. Получены зависимости отношений интенсивностей

I

₁/I₂ линий

X

⁴₈₀(J₁) и

X

⁴₇₂(J₂) рекомбинационного излучения экситонов, связанных на

V

₆, характеризующие степень ориентации

V

₆, от давления, воздействующего на

V

₆ в условиях сжатия и растяжения кремния. Предложен метод ориентации

V

₆, получаемой одновременно в условиях и сжатия, и растяжения кристалла при его изгибе.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 05-02-16368).

PACS: 71.55.-i, 71.35.-y