ФТТ, 2007, том 49, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция слоев SiO2, приготовленных на пленках beta-SiC, и анализ их элементного состава

А.М.Данишевский, В.М.Лебедев *, А.Ю.Рогачев, В.Б.Шуман, А.А.Ситникова, Р.В.Золотарева

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук,
188300 Гатчина, Ленинградская обл., Россия
E-mail: Alex.D@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 28 августа 2006 г.)

Исследуются спектры импульсной, разрешенной во времени фотолюминесценции (ФЛ) окисленных слоев, полученных электрохимическим окислением на пленках SiC/Si. Анализ их элементного состава, проведенный с помощью методов обратного резерфордовского рассеяния и ядерных реакций, показал, что в окисле остается определенная часть атомов углерода. Особенности параметров спектральных полос и их кинетик во времени связываются авторами именно с наличием равномерно распределенного в окисле углерода. С использованием электронной микроскопии изучены структуры окислов при различных длительностях окисления. Сделаны заключения о возможных центрах излучения ФЛ.

PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv, 78.55.Qr

 PDF версия (316Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster