ФТТ, 2007, том 49, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Распределение поля световой волны в окрестности магнитного дефекта в одномерных фотонных кристаллах

С.Г.Ерохин, А.П.Виноградов *, А.Б.Грановский, М.Инуе **

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук,
125412 Москва, Россия
** Технологический университет Тояхаши,
441-8580 Тояхаши, Япония
E-mail: granov@magn.ru

(Поступила в Редакцию 8 февраля 2006 г.
В окончательной редакции 30 мая 2006 г.)

Анализируется распределение поля световой волны в окрестности магнитного дефекта одномерного фотонного кристалла. Показано, что, варьируя толщину магнитного дефекта или изменяя параметры обрамляющего дефект фотонного кристалла, можно создать такую ситуацию, когда электрическое поле световой волны в основном сконцентрировано внутри магнитного слоя или, наоборот, максимально вблизи его поверхности. Это позволяет при наличии диссипации в магнитном слое оптимизировать добротность магнитного микрорезонатора и, следовательно, увеличить линейные и нелинейные магнитооптические эффекты. Обсуждается возможность разделения вкладов в нелинейную магнитооптику от поверхности и объема магнитного материала путем изменения распределения поля по толщине дефекта.

Работа выполнена при поддеркже РФФИ (грант N 04-02-16830), РФФИ--JSPS (гранты N 05-02-19886 и 06-02-16604).

PACS: 42.70.Qs, 42.60.Da, 78.20.Ls, 85.70.Sq

 PDF версия (167Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster