ФТТ, 2007, том 49, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование влияния процесса геттерирования арсенида галлия на атомную структуру

А.А.Вайполин, А.Т.Гореленок, В.Н.Мдивани, Э.А.Ильичев\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: algor.@mail.Ioffe.ru
* Федеральное государственное унитарное предприятие
Научно-исследовательский институт физических проблем им. А.Ф. Лукина,
124460 Москва, Россия

(Поступила в Редакцию 25 мая 2006 г.)

В ходе исcледования атомной структуры кристаллов арсенида галлия, геттерированных иттрием, не обнаружено изменений параметра элементарной ячейки и стандартных параметров, характеризующих статистические смещения атомов из идеальной позиции при комнатной температуре. Тем не менее исчезает эффект, наблюдаемый у обычных, не геттерированных кристаллов, вызываемый влиянием на фононный спектр точечных дефектов.

PACS: 61.10.-i, 61.72.-y, 61.72.Ji

 PDF версия (113Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster