ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантовые поправки к сопротивлению нового нанообъекта --- 2D слоя на внутреннем интерфейсе: кластеры Te-матрица (опал)

Н.С.Аверкиев*, В.Н.Богомолов*, В.А.Березовец*,**, В.И.Нижанковский**,
К.С.Романов*, И.И.Фарбштейн*

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Международная магнитная лаборатория,
53-421 Вроцлав, Польша
E-mail: iosif.farbshtein@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 27 марта 2006 г. )

Экспериментально и теоретически исследовано низкотемпературное аномальное магнетосопротивление нового нанообъекта --- 2D слоя на внутреннем интерфейсе: нанокластеры нелегированного теллура --- диэлектрическая матрица (опал). 2D слой в структуре Te--опал представляет собой регулярную решетку сферических поверхностей, покрытых 2D проводящим дырочным слоем --- \glqq interface bubble lattice\grqq. Обнаруженные особенности магнетосопротивления качественно соответствуют теории квантовых поправок к сопротивлению, но проявляются в необычных для этого эффекта сильных магнитных полях (вплоть до 120 kOe). Развит метод расчета квантовых поправок к сопротивлению в рамках теории эффекта слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, учитывающий сложность геометрической структуры объекта и особенности электронного спектра Te. Найдены параметры, характеризующие процессы релаксации фазы 2D дырок. Полученные результаты сопоставлены с известными данными для 2D слоев, созданных на плоской поверхности монокристаллического Te. Обсуждаются особенности проявления эффекта слабой локализации в системе неупорядоченных относительно ориентации магнитного поля 2D плоскостей.

Работа поддержана РФФИ (грант N 06-02-16500а), научными программами РАН и Министерства науки и образования РФ (НШ-5596.2206.2).

PACS: 73.63.-b, 73.20.Fz

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster