ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неоднородные искажения решетки в кристалле Zn1-xCrxSe

С.Ф.Дубинин, В.И.Соколов, С.Г.Теплоухов, В.Д.Пархоменко, Н.Б.Груздев

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
E-mail: dubinin@uraltc.ru

(Поступила в Редакцию 21 ноября 2005 г.
В окончательной редакции 30 марта 2006 г.)

Методом дифракции тепловых нейтронов исследовалось структурное состояние полупроводника Zn1-xCrxSe (x=0.0029). Обнаружено, что дифракционные картины кристалла содержат области диффузного рассеяния, сосредоточенные в окрестности сильных брэгговских отражений. Показано, что эффекты диффузного рассеяния обусловлены поперечными смещениями атомов решетки, индуцированными примесями хрома, для которых в ZnSe существует статический эффект Яна--Теллера тетрагонального типа.

Работа выполнена при финансовой поддержке госконтракта ФАНИ N 02.452.12 7012, программы ОФН РАН (проект N 14УрОРАН/договор N 11/05), гранта РФФИ-Урал N 04-02-96094.

PACS: 61.66.Fn, 61.12.Ld, 61.72.Vv

 PDF версия (260Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster