ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование эффекта Ханле по поперечной компоненте спиновой ориентации электронов в полупроводниках AIIIBV

Р.И.Джиоев, И.Г.Аксянов, М.В.Лазарев, О.А.Нинуа

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санк-Петербург, Россия
E-mail: dzhioev@orient.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 29 марта 2006 г.)

Исследован эффект Ханле в n-GaAs и p-AlGaAs в продольной геометрии, когда регистрируется излучение вдоль направления спина оптически ориентированных электронов, и в поперечной геометрии, когда регистрируется излучение, перпендикулярное этому направлению. Рассмотрены обстоятельства, которые привели к ошибке в определении знака g-фактора электронов в GaAs при использовании поперечной геометрии эксперимента. Показано, что результаты, получающиеся при измерении поперечной компоненты спиновой ориентации, весьма полезны для определения параметров полупроводниковых структур.

Работа выполнена при поддержке РФФИ, а также программ ОФН и Президиума РАН.

PACS: 72.25.Fe, 72.25.Dc

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster