ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зависящее от спина туннелирование в магнитном поле
для переходов, содержащих металлы с волнами
зарядовой плотности

А.И.Войтенко, А.М.Габович

Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
E-mail: collphen@iop.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 11 января 2006 г.
В окончательной редакции 27 марта 2006 г.)

Рассчитаны зависимости дифференциальной туннельной проводимости G от напряжения на контакте V во внешнем магнитном поле H для двух типов переходов, которые включают нормальные или сверхпроводящие металлы с волнами зарядовой плотности (charge density waves --- CDW). Первый тип --- это ассимметричный контакт CDW-металл (CDWM)--диэлектрик (I)--ферромагнетик (FM). Вычисления для него показывают, что происходит расщепление между компонентами G(V), соответствующими туннелированию электронов со спинами, ориентированными вдоль направления H и навстречу ему, подобное имеющему место в случае, когда вместо CDWM-электрода используется сверхпроводник (S). Второй тип --- это переход между двумя CDWM-электродами, которые могут быть нормальными или сверхпроводящими (CDWS). Если хотя бы один из CDWM-электродов нормален и H#0, то G(V) также будет обнаруживать спиновое расщепление. Для обоих типов туннельного перехода вид G(V) зависит от фаз параметров порядка CDW.

Авторы благодарят Фонд Юзефа Мяновского и Фонд содействия польской науке за помощь в сотрудничестве с Варшавским университетом и Институтом физики Польской академии наук.

PACS: 74.50.+r, 85.75.Mm, 73.40.Gk, 71.45.Lr

 PDF версия (247Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster