ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be и глубокие ловушки вблизи гетерограницы

Н.Я.Минина, Е.В.Богданов, А.А.Ильевский, В.Краак\kern1pt*

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Институт физики, Университет им. Гумбольдта,
D-1055 Берлин, Германия
E-mail: min@mig.phys.msu.ru

(Поступила в Редакцию 22 марта 2006 г.)

В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be исследована релаксация к темновому состоянию отрицательной фотопроводимости, возникающей при гелиевых температурах при облучении красным светом. Релаксационный процесс исследован при различных температурах в области существования отрицательной фотопроводимости (T<6 K) и одноосном сжатии до 1.7 kbar. Процессы релаксации количественно хорошо описываются в рамках модели, предполагающей наличие вблизи гетерограницы глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера EB=2± 0.3 meV.

Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 04-02-16861 и НШ N 1786.2003.2.

PACS: 73.20.Hb, 73.40.Kp

 PDF версия (186Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster