ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние миграции энергии на форму линии излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN

В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 12 января 2006 г.)

Структуры с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN с неоднородностями в латеральной плоскости использовались для изучения влияния механизма миграции электронных возбуждений и захвата носителей на формирование линии излучения квантовых ям. Исследованы стационарные и времяразрешенные спектры фотолюминесценции в широком спектральном диапазоне при варьировании температуры измерения (4.2, 77, 300 K). Исследована анизотропия (поляризация) излучения в структурах InGaN/GaN с различными неоднородностями. Показана важность процессов обмена возбуждением между неоднородностями для формирования линии излучения системы квантовых ям.

Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

PACS: 78.67.De, 78.55.Cr.

 PDF версия (412Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster