ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Комбинационное рассеяние света лазерно-модифицированными структурами с квантовыми точками Ge/Si

А.Г.Милехин, В.В.Варавин, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков, Д.Е.Маев*, N.Vogel **, D.R.T.Zahn **

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Московский физико-технический институт,
141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия
** Институт физики, Технический университет г. Кемниц,
Д-09107 Кемниц, Германия
E-mail: milekhin@thermo.isp.nsc.ru

(Поступила в Редакцию 11 января 2006 г.)

Структуры с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si, выращенные при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии, подвергались импульсному воздействию пикосекундным лазером. Изменения в колебательном спектре наноструктур, обусловленные внешним воздействием, изучены методом комбинационного рассеяния света. Анализ спектров комбинационного рассеяния света, измеренных вдоль обработанной области с микронным разрешением, указывает на перемешивание атомов Ge и Si и изменение встроенных механических напряжений в квантовых точках.

PACS: 78.30.Am, 78.67.Hc

 PDF версия (156Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster