ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Интерференция поляритонных волн в структурах с широкими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs

Д.К.Логинов, Е.В.Убыйвовк, Ю.П.Ефимов, В.В.Петров, С.А.Елисеев,
Ю.К.Долгих, И.В.Игнатьев, В.П.Кочерешко, А.В.Селькин

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока
Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
E-mail: loginov\_dmitriy@mail.ru

(Поступила в Редакцию 6 марта 2006 г.)

Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-17157-a), Министерства науки и образования РФ (грант N РНП.2.1.1.362), а также Международного научного технического центра ISTC (грант N 2679).

PACS: 71.35.-y, 73.61.Ey, 78.66.Fd

 PDF версия (399Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster