ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электронного облучения на структуру и свойства сверхпроводника MgB2

А.А.Блинкин, В.В.Деревянко, А.Н.Довбня, Т.В.Сухарева, В.А.Финкель, И.Н.Шляхов

Национальный научный центр \glqq Харьковский физико-технический институт\grqq Национальной академии наук Украины,
61108 Харьков, Украина
E-mail: finkel@kipt.kharkov.ua

(Поступила в Редакцию 2 февраля 2006 г.)

Приводятся результаты изучения влияния облучения BCS-cверхпроводника MgB2 небольшими дозами (0=<q Phi t=<q~5· 1016 cm-2) электронов со средней энергией \overline() E~ 10 MeV на параметры кристаллической решетки, интенсивность и ширину дифракционных линий, температуру перехода в сверхпроводящее состояние Tc и температурную зависимость сопротивления в нормальном состоянии rho(T). На основании результатов структурных исследований установлены закономерности процессов дефектообразования в Mg- и В-подрешетках MgB2 в зависимости от флюенса электронов: на начальной стадии облучения преимущественно образуются вакансии в Mg-подрешетке, затем в B-подрешетке; при флюенсах Phi t>=q~ 1·1016 cm-2 вакансии образуются в обеих подрешетках. Характер эволюции электрофизических свойств (Tc, rho273 K, остаточное сопротивление RRR=\fontsize129\frac\rho_273 K\vrule height0pt depth3pt width0pt\rho_50 K, параметры зависимости rho(T) ) при облучении электронами согласуются с установленными закономерностями образования радиационных дефектов в кристаллической решетке MgB2.

PACS: 74.62.Ph, 74.70.Ad

 PDF версия (393Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster