ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К расчету линейной и квадратичной диэлектрических восприимчивостей гексагонального карбида кремния

C.Ю.Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 18 января 2006 г.)

В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона вычислены электронные и решеточные вклады в линейную и квадратичную восприимчивость гексагонального политипа карбида кремния 2H-SiC. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с расчетами других авторов и по порядку величины близки к соответствующим значениям для политипа 6H-SiC.

Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант N 04-02-16632.

PACS: 77.22.Ch, 77.84.Bw

 PDF версия (79Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster