ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия проводимости и локализация электронов в слоистых монокристаллах CuFeTe2

Ф.Н.Абдуллаев, Т.Г.Керимова, Г.Д.Султанов, Н.А.Абдуллаев

Институт физики Национальной академи наук Азербайджана,
AZ-1143 Баку, Азербайджан
E-mail: farhad@azintex.com

(Поступила в Редакцию 26 июля 2005 г.
В окончательной редакции 18 января 2006 г.)

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления слоистого полупроводника CuFeTe2 в плоскости слоев и перпендикулярно им в области температур 5-300 K. Показано, что в рассмотренном температурном интервале в обеих зависимостях можно выделить два участка: в высокотемпературной области доминирует проводимость термовозбужденных примесных носителей заряда по разрешенной зоне, а в более низкой области температур проводимость осуществляется посредством прыжков носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми. Определена энергия активации примесных носителей заряда. Оценены плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми, разброс по энергии этих состояний, средние длины прыжков носителей заряда при различных температурах.

PACS: 71.20.Nr, 72.20.Fr

 PDF версия (155Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster