ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансные явления в рассеянии низкоэнергетических электронов на планарных кристаллических наноструктурах

Г.В.Вольф, Ю.П.Чубурин

Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук,
426001 Ижевск, Россия
E-mail: wolf@otf.fti.udmurtia.su

(Поступила в Редакцию 21 ноября 2005 г.)

Рассмотрено многократное рассеяние низкоэнергетических электронов на наноструктуре из плоских кристаллических пленок. Показано, что при определенном соотношении между геометрическими и потенциальными параметрами системы возникают резонансные состояния рассеивающихся электронов, характеризующиеся резким относительным увеличением коэффициента прохождения электронов. При определенных значениях межпленочных расстояний резонансной структуры образуются узкие окна прозрачности, отвечающие почти полному прохождению электронного пучка. Предложен способ квантово-механического расчета параметров резонансной структуры.

Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые наноструктуры\grqq.

PACS: 61.14.Hg, 61.46.-w, 03.65.Nk

 PDF версия (273Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster