| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Электро- и магнетосопротивление неоднородно механически напряженных пленок (30 nm) La
Ю.А.Бойков, В.А.Данилов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: yu.boikov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 25 октября 2005 г.)
|
Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление преимущественно ориентированных пленок (30 nm) La, в которых произошла частичная релаксация двухосных механических напряжений. Отрицательное магнетосопротивление выращенных пленок достигало максимума при K, причем полуширина пика на кривой для пленки в 5--6 раз превышала полуширину соответствующего пика для манганитного слоя, сформированного на подложке с малым рассогласованием в параметрах кристаллических решеток. При K температурная зависимость электросопротивления исследованных пленок хорошо аппроксимировалась соотношением , где , a --- не зависящий от температуры, но зависящий от напряженности магнитного поля параметр. Параметр для пленок (30 nm) La был в несколько раз больше соответствующего параметра для тонких манганитных слоев, слабо напряженных подложкой. С увеличением в интервале T уменьшается практически линейно. Финансовая поддержка работы была частично получена из проекта 9Б19 программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq и проекта N 04-02-16212 Российского фонда фундаментальных исследований. PACS: 73.50.Jt, 75.47.Lx |
| PDF версия (275Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |