ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадмием и свинцом тонких пленок
полуторного сульфида неодима

З.У.Джабуа, Т.О.Дадиани, А.В.Гигинеишвили, М.Ю.Стаматели, К.Д.Давитадзе, Г.Н.Илуридзе

Грузинский технический университет,
0175 Тбилиси, Грузия
E-mail: mszgc@access.sanet.ge

(Поступила в Редакцию 3 октября 2005 г.)

Разработана технология приготовления тонких кристаллических пленок Nd2S3 gamma-формы методом дискретного вакуумно-термического испарения предварительно синтезированного объемного материала. Проведено легирование полученных пленок Cd и Pb. В области энергий фотонов 0.2--3.0 eV при 300 K измерены спектры отражения и прозрачности. Выполнен частотный анализ коэффициента поглощения, который показал, что gamma-Nd2S3 соответствует экспоненциальный край поглощения. Измерены спектральные и температурные зависимости фотопроводимости в областях энергий фотонов 0.2--3.3 eV и температур 115--380 K для пленок gamma-Nd2S3, легированных Cd и Pb. Интерпретация экспериментальных данных проводится в предположении, что основополагающую роль в фотопроводимости играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешетке, при их компенсации вводимыми донорами Cd и Pb. Определена энергия ионизации донорного уровня Pb.

PACS: 73.50.Pz, 73.61.Le, 78.40.Fy

 PDF версия (212Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster