ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Об акустоэлектронном механизме кристаллографической ориентации неполного электрического пробоя

В.В.Паращук, К.И.Русаков\kern1pt*

Институт физики Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
* Брестский государственный технический университет,
224017, Брест, Белоруссия
E-mail: v$ k.rusakou@tut.by

(Поступила в Редакцию 27 июня 2005 г.)

Проанализирован вклад акустоэлектронного взаимодействия в развитие стримерных разрядов для модельной среды --- кристаллов CdS --- и установлены закономерности анизотропии эффекта фокусировки неравновесных фононов, вытекающие из исследования поверхностей рефракции шестого порядка и обусловливающие детерминированность (привязку) отдельных фононных мод к ориентации стримеров разного типа. Показана необходимость учета при этом нелинейных эффектов, в первую очередь влияния сильного электрического поля, точности измерения используемых в расчете данных и влияния на них различных внешних факторов, а также анализа более информативных поверхностей лучевых скоростей.

PACS: 72.50.+b, 43.50.+d

 PDF версия (111Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster