ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция структур Si--SiO2, последовательно имплантированных кремнием и углеродом

А.П.Барабан, Ю.В.Петров

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
E-mail: barabanalex@mail.ru

(Поступила в Редакцию 4 июля 2005 г.)

Изучена электролюминесценция (ЭЛ) структур Si--SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации (ИИ) кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ИИ являлось возникновение полос ЭЛ с максимумами около 2.7 и 4.3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос ЭЛ, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2.7 eV.

PACS: 78.20.Jq, 85.40.Ry, 61.72.Ww

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster