| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
\glqq Сверхрешеточная\grqq модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001)
Г.Ф.Караваев, С.Н.Гриняев
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
E-mail: karavaev@elefot.tsu.ru
(Поступила в Редакцию в окончательном виде 25 июля 2005 г.)
|
На основе метода псевдопотенциала исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния в структурах GaAs/AlAs (001). В предложенном подходе переходная область между GaAs и AlAs представлена слоем из половины периода сверхрешетки (AlAs)(GaAs), потенциал которого близок к истинному потенциалу вблизи гетерограницы. В этом случае междолинное смешивание происходит не на одной границе, как в модели с резко оборванным потенциалом, а на двух границах и в области переходного слоя. Показано, что учет плавного потенциала приводит к заметным изменениям при туннелировании электронов в структурах с тонкими слоями, причем особенно существенным в том случае, когда они происходят при участии коротковолновых -состояний. Для одной границы GaAs/AlAs (001) переходный слой выступает в роли квантовой ямы, локализующей зарядовую плотность смешанного -состояния вблизи границы. В структурах с толщиной слоев менее 2 nm отличия в энергиях резонансов, полученных в моделях с плавной и резкой гетерограницей, достигают величины eV. Проведен анализ огибающих волновых функций, связанных с , , долинами сверхрешетки и , , долинами GaAs и AlAs. Показано, что матрицы сшивания огибающих функций на границах GaAs/(AlAs)(GaAs) и (AlAs)(GaAs)/AlAs слабо зависят от энергии в окрестности дна зоны проводимости, а вычисленные с ними плотности вероятности согласуются с результатами многозонного расчета, что позволяет использовать их для развития модели плавного интерфейсного потенциала в рамках метода эффективной массы. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 04-02-17508-а). PACS: 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.20.At
|
| PDF версия (372Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |