ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы диссипации в джосефсоновской среде на основе ВТСП под действием магнитного поля

Д.А.Балаев, С.И.Попков, К.А.Шайхутдинов, М.И.Петров

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
E-mail: smp@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 3 июня 2005 г.)

Приведены результаты экспериментального исследования влияния магнитного поля (0-60 kOe) на вид зависимостей R(T) композитов Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7 + CuO. Данные композиты представляют собой сеть джозефсоновских переходов туннельного типа, в которых несверхпроводящий компонент (CuO) формирует границы (барьеры) между ВТСП-кристаллитами. Зависимости R(T) композитов имеют двухступенчатую структуру, характерную для гранулярных сверхпроводников: резкий скачок сопротивления при критической температуре ВТСП-кристаллитов и плавный переход в сверхпроводящее состояние, вызванный влиянием границ между ВТСП-кристаллитами. Полученные зависимости R(T) проанализированы в рамках модели Амбегаокара--Гальперина (АГ) для тепловых флуктуаций в джозефсоновских переходах и модели термоактивационного течения потока (крипа потока). Наблюдается кроссовер указанных механизмов с ростом магнитного поля. В диапазоне слабых магнитных полей 0-102 Oe зависимости R(T) хорошо описываются выражением, следующим из модели АГ. В диапазоне сильных полей 103-6·104 Oe диссипация следует закону Аррениуса R~exp(-U(H)/T ), характерному для модели крипа потока с температурно-независимой энергией пиннинга U(H). Определены величины эффективной энергии джозефсоновской связи и пиннинга, соответствующие режимам АГ и течения потока.

PACS: 74.81.Fa, 74.50.+r

 PDF версия (392Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster