ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры кристаллов GaN и BxGa1-xN

В.В.Илясов, Т.П.Жданова, И.Я.Никифоров

Донской государственный технический университет,
344010 Ростов-на-Дону, Россия
E-mail: viily@mail.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 5 сентября 2005 г.)

Электронная энергетическая структура GaN в вюрцитной и сфалеритной модификациях и твердых растворов BxGa1-xN рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Проведено сравнение электронной структуры бинарных кристаллов GaN и тройных растворов BxGa1-xN и дана интерпретация их особенностей. Изучены концентрационные зависимости ширин верхней подзоны валентной полосы, полосы запрещенных энергий и модуля всестороннего сжатия в твердых растворах BxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75) от содержания бора и показан нелинейный характер этих зависимостей.

PACS: 71.20.Nr, 62.20.Dc

 PDF версия (490Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster