-1 Рассмотрена структура упругих и электрических полей, возникающих вблизи границы $X$-среза кристалла ниобата лития при формировании фоторефрактивной решетки с волновым вектором $$ K, параллельным оси симметрии третьего порядка, за счет фотогальванического эффекта. Приведены результаты численного анализа структуры полей решетки и изменений компонент тензора диэлектрической непроницаемости кристалла на частоте световой волны. Показано, что на фоторефрактивной решетке, сформированной вблизи электрически закороченной границы кристалла ниобата лития, возможно эффективное взаимодействие световых волн с ортогональными поляризациями.

PACS: 73.20.-r, 77.84.Dy, 77.80.Dj