ФТТ, 2006, том 48, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Генерация дислокаций в варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста

А.И.Власенко, З.К.Власенко, И.В.Курило\kern1pt*, И.А.Рудый\kern1pt*

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
29013 Львов, Украина
E-mail: zvlas@isp.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 24 февраля 2005 г.
В окончательной редакции 12 мая 2005 г.)

На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций.

PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster