ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2: page 266...

ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Температурное поведение тонкой структуры $C$ - и $E$ -полос поглощения в RbMnF₃ ниже температуры Нееля

А.В.Малаховский, Т.П.Морозова^\kern1pt*

Bar-Ilan University, Department of Chemistry,
52900 Ramat-Gan, Israel
^* Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
E-mail: ise@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 3 февраля 2005 г.
В окончательной редакции 28 апреля 2005 г.)

Изучено температурное поведение параметров (ширина, положение, интенсивность) компонент тонкой структуры

C

[

⁶A_1g->⁴A_1g,⁴E_g(⁴G)]- и

E

[

⁶A_1g->⁴E_g(⁴D)]-полос в RbMnF

₃ в интервале температур 10--70 K. B

C

-полосе выделены две узкие (

<6 cm

^-1) линии на расстоянии 77 и 80 cm

^-1 от экситонной линии (при

T=10

K). Остальные линии в

C

-полосе и все линии в

E

-полосе имеют ширину

>20 cm

^-1. Показано, что узкие линии разрешены обменным механизмом в модели дальнего магнитного порядка и обусловлены возбуждением связанных состояний экситона и магнона, а остальные линии разрешены обменно-вибронным механизмом в модели ближнего магнитного порядка и обусловлены возбуждением связанных состояний экситона, магнона и фонона (фононы нечетные). Колебательные повторения основных экситон-магнон-фононных линий обусловлены квадратичным вибронным взаимодействием с нечетными колебаниями. Температурное поведение интенсивности и ширины линий поглощения свидетельствует о влиянии релаксации и делокализации связанных состояний на эти параметры.

PACS: 78.20.-e, 78.40.Ha, 75.50.Ee

PDF версия (313Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster