ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектронная спектроскопия E'-центров в кристаллическом и стеклообразном диоксиде кремния

А.Ф.Зацепин, Д.Ю.Бирюков, В.С.Кортов

Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия
E-mail: zats@dpt.ustu.ru

(Поступила в Редакцию 24 февраля 2005 г.
В окончательной редакции 12 мая 2005 г.)

На примере радиационных E'-центров в SiO2 рассмотрены некоторые возможности применения эффекта нестационарной фотоэлектронной эмиссии (Optically stimulated electron emission --- OSEE) для спектроскопии возбужденных состояний точечных дефектов в диэлектриках. Получены и исследованы спектральные зависимости OSEE кристалла alpha-кварца и кварцевого стекла, облученных электронами (10 MeV). Установлено, что в кристаллической и стеклообразной модификациях SiO2 объемные E'-центры являются доминирующими эмиссионно-активными дефектами. В стеклообразом SiO2 дополнительно обнаружены поверхностные E's(1)-центры.

Предложена модель энергетической структуры E'-центров, объясняющая отсутствие люминесценции и учитывающая наличие двух каналов безызлучательной релаксации (внутрицентрового и ионизационного). В рамках предложенной модели обоснован механизм фототермического распада E'-центров, определены активационные барьеры и квантовые выходы их ионизации. Для объемных и поверхностных E'-центров в стеклообразном SiO2 получены значения эмиссионных и спектрально-кинетических параметров, указывающих на идентичность атомных конфигураций возбужденных состояний данных дефектов.

Работа выполнена в рамках проекта INTAS (N 01-0458) при поддержке US CRDF (N REC-005, EK-005-X1).

PACS: 79.60.Bm, 71.23.-k

 PDF версия (432Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster