| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа
Д.А.Зацепин, Е.С.Яненкова, Э.З.Курмаев, В.М.Черкашенко, С.Н.Шамин, С.О.Чолах
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
Уральский государственный технический университет,
620002 Екатеринбург, Россия
E-mail: d
(Поступила в Редакцию 26 апреля 2005 г.)
|
Методом рентгеновской эмиссионной Si (электронный переход ) спектроскопии исследованы образцы кремния - и -типа, имплантированные ионами Fe в импульсном режиме (энергия имплантации 30 keV, ток в импульсе до 0.5 A, длительность импульса s, дозы облучения от до ). Установлена зависимость рентгеновских эмиссионных спектров как от доз ионного облучения, так и от ускоряющего напряжения электронного пучка, используемого при рентгеновских измерениях. Анализ Si -спектров посредством сравнения со спектрами эталонов и их моделирование показали, что с увеличением дозы облучения имеет место разупорядочение структуры, частичная аморфизация образца от поверхности в объем вплоть до глубины Angstrem и его последующая рекристаллизация (эффект больших доз). Показано, что обнаруженный эффект наиболее сильно выражен в слоях на глубине Angstrem, не связан с формированием в объеме образцов силицида железа FeSi, и, вероятнее всего, обусловлен нарушениями связей Si--Si в процессе ионной имплантации при использванных дозах облучения. Работа выполнена при поддержке проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования --- CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-1026.2003.2). PACS: 61.10.Ht, 61.72.Tt |
| PDF версия (585Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |