ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3(001)

Л.Н.Никитина, С.Н.Гриняев, В.Г.Тютерев\kern1pt*

Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
* Томский государственный педагогический университет,
634041 Томск, Россия
E-mail: gsn@phys.tsu.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 31 марта 2005 г.)

На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели сил связи изучено междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3(001). Рассчитаны деформационные потенциалы между экстремумами зоны проводимости сверхрешетки с участием коротковолновых и длинноволновых фононов. Показано, что смешивание состояний из сфалеритных L-долин играет в междолинном рассеянии сверхрешетки более существенную роль, чем Gamma-X-смешивание. В частности, за счет L-L-смешивания переходы Gamma1-X3, являющиеся аналогами сфалеритных Gamma-L-переходов, имеют большую интенсивность, чем аналоги Gamma-X-переходов (Gamma1-M5, Gamma1-Gamma3). Усредненные по каналам рассеяния деформационные потенциалы в сверхрешетке согласуются с соответствующими потенциалами в твердом растворе, но для нижних состояний все переходы в сверхрешетке более интенсивны.

Работа частично выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-17848, 04-02-17508-a и гранта Президента РФ НШ-1743.2003.2.

PACS: 63.20.Kr, 73.21.Cd

 PDF версия (236Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster