ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диффузионные параметры азота в ионно-имплантированных монокристаллах вольфрама

О.Б.Боднарь, И.М.Аристова\kern1pt*, А.А.Мазилкин\kern1pt*, Л.Н.Пронина\kern1pt*, А.Н.Чайка\kern1pt*, П.Ю.Попов

Московская государственная академия приборостроения и информатики,
107076 Москва, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: aristova@issp.ac.ru

(Поступила в Редакцию 4 марта 2005 г.
В окончательной редакции 18 марта 2005 г.)

Исследована диффузия азота, имплантированного в монокристаллический вольфрам в температурном интервале 700-820oC. В основу измерений положен разработанный авторами метод неразрушающего определения коэффициентов диффузии по динамике изменения поверхностной концентрации примеси. Начальное распределение и диффузионные профили для различных времен отжига определялись методом масс-спектроскопии вторичных ионов. Измерение относительной поверхностной концентрации азота проводилось методом Оже-электронной спектроскопии. Экспериментально обнаружено существование нескольких потоков примесных атомов в приповерхностной области ионно-легированного вольфрама. В предположении взаимодействующих потоков определены температурные зависимости коэффициентов диффузии азота в потоке, связанном с дислокациями, образовавшимися в результате ионной имплантации, и в потоке, связанном с объемным механизмом диффузии. Диффузия азота характеризуется довольно низкой величиной энергии активации: 0.15 и 0.75 eV по дислокационному и объемному механизмам соответственно.

Один из авторов (А.Н.Ч.) благодарит за финансовую поддержку Фонд содействия отечественной науке и программу научных школ (грант НШ-2169.2003.2).

PACS: 61.72.Ww, 66.30.Jt

 PDF версия (209Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster