ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства наногранулированных композитов металл--диэлектрик в сильных электрическиx полях и кластерные электронные состояния

Л.В.Луцев, М.Н.Копытин\kern1pt*, А.В.Ситников\kern1pt*, О.В.Стогней\kern1pt*

Научно-исследовательский институт \glqq Феррит-Домен\grqq,
196084 Санкт-Петербург, Россия
* Воронежский государственный технический университет,
394026 Воронеж, Россия
E-mail: lutsev@domen.ru

(Поступила в Редакцию 6 декабря 2004 г.
В окончательной редакции 9 марта 2005 г.)

Исследовались особенности электрического сопротивления в сильных электрических полях в гранулированных структурах с ферромагнитными и неферромагнитными металлическими наночастицами, находящихся ниже порога перколяции: аморфной двуокиси кремния с наночастицами сплава (Co41Fe39B20) (структура (a-SiO2)100-x(Co41Fe39B20)x ) и аморфном гидрогенезированном углероде с наночастицами меди a-C : H(Cu). В структурах (a-SiO2)100-x(Co41Fe39B20)x обнаружены изменения сопротивления и магнитосопротивления после воздействия сильного электрического поля. Изменения носили как обратимый, так и необратимый характер и зависели от электрической предыстории образца. После воздействия сильного электрического поля наряду с уменьшением электрического сопротивления наблюдалось уменьшение величины магнитосопротивления, хотя намагниченность образца оставалась при этом неизменной. В пленках a-C : H(Cu) на температурных зависимостях тока обнаружены пики проводимости при понижении температуры в сильных электрических полях, переходы из изолирующего состояния в проводящее и обратные переходы при снятии поля, релаксация проводимости, а также значительные изменения диэлектрической проницаемости и увеличение диэлектрических потерь с ростом температуры. Для объяснения экспериментальных фактов предложена модель кластерных электронных состояний (КЭС). Эти состояния образуются электронами частиц металла и дефектов матрицы вблизи поверхности Ферми. Наблюдаемые особенности объясняются изменением структуры КЭС. При этом сильное электрическое поле не приводит к делокализации d-электронов и доля волновых функций d-электронов в КЭС мала.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16713, 02-02-12102, 03-02-96486) и Министерства образования в рамках программы поддержки ведущих научно-педагогических коллективов.

 PDF версия (357Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster