ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О возможности определения диффузионной длины экситонов в полупроводниках на основе данных фотомагнитных измерений

И.Г.Атабаев, Н.А.Матчанов, М.У.Хажиев, Д.Саидов

Физико-технический институт научно-производственное объединение \glqq Физика--Солнце\grqq Академии наук Узбекистана,
700084 Ташкент, Узбекистан
E-mail: sirnornur@uzsci.net

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 21 марта 2005 г.)

Представлены результаты исследования влияния магнитного поля на фототок Iph в Si и GaAs солнечных элементах. Показано, что изменение фототока Iph солнечных элементов в магнитном поле может быть связано с уменьшением диффузионной длины экситонов Lexc. Предложена упрощенная модель фотомагнитного эксперимента для оценки Lexc и вклада экситонов в фототок солнечных элементов.

 PDF версия (235Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster