| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотоэлектрические и рентгендозиметрические свойства монокристаллов TlGaS
С.Н.Мустафаева
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ--1143 Баку, Азербайджан
E-mail: itpcht@itpcht.ab.az
(Поступила в Редакцию 25 ноября 2004 г.)
|
В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGaYbS () установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению удельного сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока. Изучение рентгендозиметрических характеристик монокристаллов TlGaYbS показало, что в результате частичного замещения GaYb в TlGaS коэффициент рентгеночувствительности заметно увеличивается, а рентген-амперные характеристики стремятся к линейности () в области малых интенсивностей (, R/min) мягкого рентгеновского излучения. В области высоких интенсивностей жесткого рентгеновского излучения как для исходного, так и для легированного иттербием монокристалла TlGaS. |
| PDF версия (236Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |