ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические и рентгендозиметрические свойства монокристаллов TlGaS2<Yb>

С.Н.Мустафаева

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ--1143 Баку, Азербайджан
E-mail: itpcht@itpcht.ab.az

(Поступила в Редакцию 25 ноября 2004 г.)

В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGa1-xYbxS2 (x=0,0.01) установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению удельного сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока.

Изучение рентгендозиметрических характеристик монокристаллов TlGa1-xYbxS2 показало, что в результате частичного замещения Ga->Yb в TlGaS2 коэффициент рентгеночувствительности заметно увеличивается, а рентген-амперные характеристики Delta IE,0~ Ealpha стремятся к линейности (alpha=1) в области малых интенсивностей (E, R/min) мягкого рентгеновского излучения. В области высоких интенсивностей жесткого рентгеновского излучения alpha->0.5 как для исходного, так и для легированного иттербием монокристалла TlGaS2.

 PDF версия (236Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster