ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Образование диссипативных структур в кристаллах
при термо- и электропереносе

И.А.Зельцер, А.С.Карабанов, Е.Н.Моос

Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина,
390000 Рязань, Россия
E-mail: eugen@moos.pptus.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 11 января 2005 г.)

Экспериментально и теоретически изучена перестройка (\glqq фасетирование\grqq) поверхности твердого тела при наличии в нем продольных градиентов электрического поля и температуры. Методами прямой электронной микроскопии и металлографии изучались кристаллы и проволоки вольфрама, предварительно нагретые в вакууме и водороде постоянным электрическим током до температуры, превышающей половину температуры плавления. Обнаружена корреляция процессов образования объемных дефектов и поверхностной регулярной структуры. Представлена первая попытка рассмотрения данных процессов с позиций синергетики.

 PDF версия (165Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster