ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия ионов Ar и Xe низкой энергии с кластерами меди
на поверхности графита

Г.В.Корнич, Г.Бетц *, В.И.Запорожченко **, Ф.Фаупел **, Л.И.Лозовская

Запорожский национальный технический университет,
69063 Запорожье, Украина
* Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,
A-1040 Wien, Austria
** Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat,
24143 Kiel, Germany
E-mail: gkornich@zntu.edu.ua

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 22 февраля 2005 г.)

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование распыления уединенных кластеров, состоящих из 13, 27 и 195 атомов Cu, с поверхности (0 0 0 1) графита ионами Ar и Xe с энергией 200 eV. Обсуждаются угловые и энергетические характеристики распыленных атомов Cu и рассеянных ионов.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Украины (грант ДБ 04314), Венского технического университета (грант UT8 / 058-04) и Кильского университета (грант 405 / 1033976).

 PDF версия (363Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster