ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгенодифракционное исследование влияния нейтронного облучения на процессы дефектообразования в отожженных при высоких температурах кристаллах Cz-Si

В.А.Макара, Н.Н.Новиков, Б.Д.Пацай

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко,
03022 Киев, Украина
E-mail: pacaj@univ.kiev.ua

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 10 марта 2005 г.)

Методами трехкристальной дифрактометрии выполнено сравнительное исследование рассеяния рентгеновского излучения нейтронно-облученными и эталонными, выращенными по методу Чохральского кристаллами кремния после их отжига при температурах 850-1050oC. Рассчитаны соответствующие значения размеров и концентраций кластеров точечных дефектов и дислокационных петель, которые образуются в процессе распада твердого раствора кислорода и кластеризации радиационных дефектов.

 PDF версия (214Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster