ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экситон-дырочное рассеяние в ZnTe

В.С.Багаев, В.В.Зайцев, Ю.В.Клевков, В.С.Кривобок

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: bagaev@lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 13 января 2005 г.)

Исследована низкотемпературная люминесценция высокочистых поликристаллов ZnTe при различных уровнях стационарного возбуждения. Обнаружено, что при увеличении уровня возбуждения в спектрах краевой люминесценции доминирует излучение, обусловленное рассеянием экситонов дырками, генерация которых обеспечивается Оже-рекомбинацией экситона, связанного на нейтральном акцепторе (Cu).

Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16854, 04-02-17078, а также грантом поддержки ведущих научных школ НШ1923.2003.2.

 PDF версия (257Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster