-1 Времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации измерен выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом пленкой германия, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, толщины пленки германия, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Порог появления выхода атомов Cs составляет $~30$ eV, что хорошо коррелирует с энергией ионизации уровня германия $3d$. С ростом энергии электронов выход атомов Cs проходит через широкий максимум при энергии $~120$ eV. В области толщин пленки германия от 0.5 до двух монослоев обнаружены резонансные пики выхода атомов Cs при энергиях электронов 50 и 80 eV, которые могут быть связаны с энергиями ионизации остовных уровней вольфрама $5p$ и $5s$. С ростом степени покрытия цезия выход атомов Cs проходит через пологий максимум при монослойном покрытии. Энергораспределения атомов Cs имеют вид колоколообразных кривых, которые для тонких пленок германия с ростом покрытия цезия смещаются в область более высоких энергий, а для толстых пленок германия --- в область низких энергий. При температуре подложки $T=160$ K энергораспределения атомов Cs состоят из двух колоколообразных кривых: узкой с максимумом при $~0.35$ eV, связанной с возбуждением остовных уровней вольфрама, и широкой с максимумом при $~0.5$ eV, связанной с возбуждением остовного уровня германия $3d$. Полученные результаты можно интерпретировать на основе модели Оже-стимулированной десорбции.

Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523) и Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (ГК N 1152).