ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О механизме формирования равновесной доменной структуры в кристаллах, испытывающих термоупругие фазовые переходы

Е.В.Гомонай *,**, В.М.Локтев **

* Национальный технический университет Украины \glqq КПИ\grqq,
03056 Киев, Украина
** Институт теоретической физики Национальной академии наук Украины,
03143 Киев, Украина
E-mail: malyshev@ukrpack.net,   vloktev@bitp.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 26 июля 2004 г.
В окончательной редакции 28 октября 2004 г.)

Предложен механизм формирования равновесной доменной структуры при термоупругих фазовых переходах, обусловленный дальнодействующими полями упругих деформаций, которые создаются \glqq упругими зарядами\grqq на свободной поверхности кристалла. Предполагается, что при фазовом переходе наряду с первичным (антиферромагнитным, мартенситным) параметром порядка в кристалле возникают жестко связанные с ним внутренние (квазипластические) напряжения, ориентация которых относительно кристаллографических осей может меняться под действием внешних полей. \glqq Упругие заряды\grqq возникают за счет тех компонент тензора внутренних напряжений, поток которых через поверхность кристалла отличен от нуля. Получено выражение для нелокальной энергии \glqq раздеформирования\grqq и показано, что при определенной форме образца энергетически более выгодным является неоднородное распределение первичного параметра порядка, соответствующее доменной структуре. Продемонстрирована зависимость характерного поля монодоменизации от формы кристлла.

Работа выполнена при частичной поддержке Министерства образования и науки Украины (грант N Ф7/514-2001) и частично в рамках тематического и плана исследований НТУУ \glqq КПИ\grqq (N госрегистрации 0103U000303).

 PDF версия (121Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster