ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксорные свойства и механизм проводимости gamma-облученных кристаллов TlInS2

Р.М.Сардарлы, О.А.Самедов, И.Ш.Садыхов, А.И.Наджафов, Ф.Т.Салманов

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана,
AZ 1143 Баку, Азербайджан
E-mail: sardarli@yahoo.com

(Поступила в Редакцию 19 октября 2004 г.)

В кристалле TlInS2 определена плотность состояний уровней, связанных с радиационными дефектами, определен радиус локализации дефектного центра и длина прыжка носителей. Показано, что путем воздействия gamma-облучения можно изменить диэлектрические свойства сегнетоэлектриков и получить устойчивое релаксорное состояние. Перенос заряда в области существования этого состояния осуществляется путем туннелирования с электронных уровней в запрещенной зоне через потенциальные барьеры, обусловленные несоразмерной сверхструктурой кристалла TlInS2.

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster