ФТТ, 2005, том 47, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимодействие электронов с полярными оптическими фононами в полупроводниковых сверхрешетках

В.Г.Тютерев

Томский государственный педагогический университет,
634041 Томск, Россия
E-mail: vgt@phys.tsu.ru

(Поступила в Редакцию 16 апреля 2004 г.)

На основе микроскопической решеточно-динамической теории проведен численный расчет электрических потенциалов, создаваемых оптическими фононами в полупроводниковых сверхрешетках. Показано, что пространственное распределение амплитуд электрических потенциалов отличается от предсказываемого в популярной макроскопической модели диэлектрического континуума без дисперсии. Предложена модифицированная макроскопическая континуальная теория, которая учитывает дисперсию короткодействующих межатомных сил и позволяет получить аналитические выражения для потенциалов электрон-фононного взаимодействия.

Работа частично поддержана грантами президента РФ N НШ-1743.2003.2 и INTAS N 01-0458.

 PDF версия (387Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster