ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

В.П.Кузнецов, Р.А.Рубцова, В.Н.Шабанов, А.П.Касаткин,
С.В.Седова, Г.А.Максимов, З.Ф.Красильник *, Е.В.Демидов *

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского Государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: lab10@phys.unn.runet.ru

Определена холловская подвижность электронов и металлографическим методом исследована плотность дефектов кристаллической структуры в слоях Si : Er, выращенных при температурах 520-580oC с помощью сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Введение эрбия в слои Si до концентрации ~5·1018 cm-3 не сопровождалось увеличением плотности дефектов, но приводило к значительному уменьшению подвижности электронов.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439, 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.I.I.II61, 40.020.I.I.II59).

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster