ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si / Si1-xGex : Er / Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе

Л.В.Красильникова, М.В.Степихова, Ю.Н.Дроздов, М.Н.Дроздов,
З.Ф.Красильник, В.Г.Шенгуров*, В.Ю.Чалков*, С.П.Светлов*, О.Б.Гусев**

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия
** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: luda@ipm.sci-nnov.ru

Приводятся результаты исследований структур Si / Si1-xGex : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в газовой фазе. Исследуемые структуры рассматриваются в качестве одного из вариантов структур для реализации лазера на Si / Er. Показано, что методом сублимационной МЛЭ в газовой фазе можно создавать эффективные светоизлучающие структуры, обнаруживающие интенсивный сигнал люминесценции на длине волны 1.54 mum. Для структур Si / Si1-xGex : Er / Si с параметрами, близкими к рассчитанным для создания структур лазерного типа, проведены структурный и элементный анализ, исследованы спектральные и кинетические особенности фотолюминесценции при температурах 4.2 и 77 K. Показано, что в слоях Si1-xGex : Er, выращенных этим методом, доля оптически активных ионов Er3+ достигает ~10% от полного содержания эрбиевой примеси. Согласно проведенным оценкам, значения коэффициентов оптического усиления в активных слоях Si1-xGex : Er (x=0.1 и 0.02) составили ~0.03 и ~0.2 cm-1. Значительное увеличение коэффициента усиления в структурах этого типа возможно за счет направленного формирования изолированных оптически активных центров иона Er3+ с характерной тонкой структурой спектра люминесценции.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16773, 04-02-17120) и INTAS (проекты N NANO-01-0444, 03-51-6486).

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster