ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er

Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник, А.Н.Яблонский, В.П.Кузнецов *, T.Gregorkiewicz **, M.A.J.Klik **

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
** Van der Waals--Zeeman Institute, University of Amsterdam,
NL-1018XE Amsterdam, The Netherlands
E-mail: yablonsk@ipm.sci-nnov.ru

Исследованы спектры возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er в широком диапазоне длин волн возбуждающего излучения (lambdaex=780-1500 nm). Во всех исследованных структурах наблюдался значительный сигнал эрбиевой фотолюминесценции при энергиях кванта, существенно меньших ширины запрещенной зоны кремния (lambda=1060 nm), в условиях отсутствия генерации экситонов. Обсуждается возможный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии без участия экситонов.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16773), INTAS (гранты N 01-0468, 01-0194) и NWO (грант N 047-009-013).

 PDF версия (193Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster