ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO2

Т.С.Шамирзаев, М.С.Сексенбаев, К.С.Журавлев, А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: timur@thermo.isp.nsc.ru

Исследована температурная зависимость фотолюминесценции квантовых точек в структурах Si/Ge/SiO2/Si и Si/Ge/Si. Малые значения энергии активации температурнуго гашения фотолюминесценции квантовых точек в обоих типах изученных структур объяснены термостимулированным захватом дырок из квантовых точек на уровни дефектов, локализованных в их окрестности.

Работа выполнена при частичной поддержке INTAS (грант N 01-0444) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16468).

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster